Модель элемента тонкой структуры факела (ТС-элемента) описывает связь напряженности магнитного поля Н и эквивалентной ширины линий, если предполагать большие температуры и меньшие градиенты температуры по высоте в атмосфере элемента по сравнению с обычными моделями. Для анализа модели магнитного поля ТС-элемента нами использованы решения системы уравнений переноса излучения в спектральных линиях с учетом аномальной дисперсии. Анализировались площади профилей круговой поляризации rv линий К, нормированные на площадь r v -профиля линии Fe1 λ 525.35 нм. Рассмотрены параметры связи К: S 1 – среднее отношение рассчитанных и наблюдаемых К, S 2 – среднеквадратическое отклонение теоретических К от наблюдаемых, S 3 – коэффициенты их корреляции. При подборе модели полагалось, что величины S 1 и S 3 в ней должны быть максимально близки к 1, а S 2 минимален. При использовании теории Унно расчет по 28 спектральным линиям дает значения S 1 = 0 . 998 - 1 . 008 , S 2 = 0 . 185 , S 3 = 0 . 969 - 0 . 988 , в зависимости от принятых параметров атмосферы. При учете аномальной дисперсии имеем S 1 = 0 . 924 , S 2 = 0 . 188 , а S 3 = 0 . 968 . Есть заметное различие S 1 при близких S 2 и S 3 . Это является следствием инверсий r v -профиля у центров магнитоактивных линий, которые в разной степени (в зависимости от расщепления линии) уменьшают их площадь.