О модели ТС-элемента солнечной фотосферы, построенной по связи магнитного поля и эквивалентной ширины линий

Аннотация

Модель элемента тонкой структуры факела (ТС-элемента) описывает связь напряженности магнитного поля Н и эквивалентной ширины линий, если предполагать большие температуры и меньшие градиенты температуры по высоте в атмосфере элемента по сравнению с обычными моделями. Для анализа модели магнитного поля ТС-элемента нами использованы решения системы уравнений переноса излучения в спектральных линиях с учетом аномальной дисперсии. Анализировались площади профилей круговой поляризации rv линий К, нормированные на площадь r_v-профиля линии Fe1λ 525.35 нм. Рассмотрены параметры связи К: S₁ – среднее отношение рассчитанных и наблюдаемых К, S₂ – среднеквадратическое отклонение теоретических К от наблюдаемых, S₃ – коэффициенты их корреляции. При подборе модели полагалось, что величины S₁ и S₃ в ней должны быть максимально близки к 1, а S₂ минимален. При использовании теории Унно расчет по 28 спектральным линиям дает значения S₁ = 0.998 - 1.008, S₂ = 0.185, S₃ = 0.969 - 0.988, в зависимости от принятых параметров атмосферы. При учете аномальной дисперсии имеем S₁ = 0.924, S₂ = 0.188, а S₃ = 0.968. Есть заметное различие S₁ при близких S₂ и S₃. Это является следствием инверсий r_v-профиля у центров магнитоактивных линий, которые в разной степени (в зависимости от расщепления линии) уменьшают их площадь.